MRFG35002N6AT1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
28
2
14
0
60
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 3. Single--Channel W--CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
16 20 22 2618
14
10
8
6
4
50
40
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
24
12
VDD=6Vdc,IDQ
= 65 mA, f = 3550 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5
dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
Gps
28
-- 5 0
0
-- 5
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 4. Single--Channel W--CDMA Adjacent
Channel Power Ratio and IRL versus Output Power
16 20 22 2618
14
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
-- 2 5
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
24
-- 1 0
VDD=6Vdc,IDQ
= 65 mA, f = 3550 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5
dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
IRL
ACPR
2
14
24
36
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. Single--Channel W--CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Frequency
3450
10
8
6
4
34
30
28
26
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
12
VDD=6Vdc,IDQ
=65mA,Pout= 158 mW
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5
dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
Gps
32
3500 3550 3600 3650
NOTE:Data is generated from the test circuit shown.
0
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
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